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英飞凌宣布在欧洲建设全球首个12英寸GaN功率半导体晶圆厂
原文摘要
英飞凌10月27日宣布,将在欧洲建设全球首个用于生产氮化镓(GaN)功率半导体的300mm(12英寸)大规模量产晶圆厂,计划2034年前投资约11亿欧元升级位于奥地利Villach的现有洁净室设施,工厂拟于2027年底投产。欧盟委员会已批准向该扩产计划授予3.19亿欧元国家援助,奥地利经济部门预计将在规定期限内正式履行资金承诺。
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英飞凌10月27日宣布,将在欧洲建设全球首个用于生产氮化镓(GaN)功率半导体的300mm(12英寸)大规模量产晶圆厂,计划2034年前投资约11亿欧元升级位于奥地利Villach的现有洁净室设施,工厂拟于2027年底投产。欧盟委员会已批准向该扩产计划授予3.19亿欧元国家援助,奥地利经济部门预计将在规定期限内正式履行资金承诺。