英飞凌宣布在欧洲建立全球首个300毫米晶圆氮化镓功率半导体大规模生产基地

英飞凌10月27日宣布将在奥地利菲拉赫（Villach）工厂建设全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地，计划到2034年向现有洁净室设施投入约11亿欧元，工厂拟于2027年底投产。欧盟委员会已批准向该扩产计划授予3.19亿欧元国家援助，300mm晶圆单片芯片产出为200mm晶圆的2.3倍。