英飞凌计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂投入约11亿欧元，扩建300毫米晶圆氮化镓功率半导体产能

英飞凌10月27日宣布，将在欧洲建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地，计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂的现有洁净室设施投入约11亿欧元，利用现有及升级后的基础设施扩产，该基地计划2027年底投产。