英飞凌11亿欧元扩建菲拉赫洁净室建300毫米氮化镓晶圆厂

英飞凌宣布将在欧洲建设全球首座基于300毫米晶圆的氮化镓（GaN）功率半导体量产工厂，选址奥地利菲拉赫厂区现有洁净厂房，计划至2034年前投入约11亿欧元，预计2027年底前启动生产。项目获《欧洲芯片法案》支持，欧盟委员会已批准3.19亿欧元国家补贴。300毫米晶圆单片产出芯片数量可达200毫米晶圆的2.3倍。

英飞凌10月27日宣布，将在奥地利菲拉赫（Villach）基于现有洁净室设施建设全球首个300毫米（12英寸）氮化镓功率半导体大规模生产基地，计划2034年前投入约11亿欧元，工厂拟2027年底投产。欧盟委员会已批准向该项目授予3.19亿欧元国家援助，原文称300mm晶圆单片芯片产出是200mm晶圆的2.3倍。

英飞凌10月27日宣布，将在欧洲建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地，计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂的现有洁净室设施投入约11亿欧元，利用现有及升级后的基础设施扩产，该基地计划2027年底投产。